Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi.

Benzer bir sunumlar


... konulu sunumlar: "EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi."— Sunum transkripti:

1 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi 2009 Barbaros Şekerkıran

2 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 2 İTÜ KAYNAKLAR 1) Introduction to Microelectronic Fabrication Richard C. Jeager, Modular Series on Solid State Devices, 2002 2) Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 1 Process Technology, Stanley Wolf, R.N. Tauber Volume 2 Process Integration, Stanley Wolf, Volume 3 The Submicron MOSFET, Stanley Wolf, Lattice Press, 3) Physics and Technology of Semiconductor Devices Andrew S. Grove, John Wiley&Sons, 1967 4) Introduction to Microfabrication Sami Franssila, John Wiley&Sons

3 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 3 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ Vakumlu Tüp Teknolojisi Tranzistörün bulunması 1947 Bell Laboratuarları

4 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 4 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ BELL Laboratuarında gerçeklenen Modern bir tümdevre (1997) ilk nokta değmeli transistör (1947)

5 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 5 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ

6 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 6 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Periyodik Tablo 5 B 10.8 6 C 12.0 7N7N 8O8O 13 Al 26.9 14 Si 28.0 15 P 30.9 16 S 30 Zn 31 Ga 69.7 32 Ge 72.6 33 As 74.9 34 Se 48 Cd 49 In 50 Sn 51 Sb 52 Te III IV V

7 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 7 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Eg eV Enerji band yapısı µn/ µp cm 2 Vs v NSAT m s Κ W cm o C ısıl oksit özelliği Üretim işlemlerine uygunluk Si1.12←↓←↓ 1500 450 1 10 7 1.5iyimükemmel Ge0.66←↓←↓ 3900 1900 6 10 6 0.6zayıf GaAs1.42 ↓ 8500 400 1.2 10 7 0.46zayıf

8 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 8 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Silisyumun enerji band yapısı

9 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 9 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Silisyum, GaAs ve InP kristallerinde taşıyıcı hız doyması v d x 10 7 cm/s 2.5 2.2 3.210.5 n-InP n- GaAs E (kV/cm) 10 7 V d (cm/s) 10 5 E (V/cm) Si

10 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 10 İTÜ TEMEL PROSES ADIMLARI 1) LİTOGRAFİ 2) ISIL OKSİTLEME 3) KATKILAMA – DİFÜZYON (YAYINMA) 4) DEPOZİSYON 5) AŞINDIRMA

11 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 11 İTÜ LİTOGRAFİ 1) FOTOLİTOGRAFİ 2) ELEKTRON DEMETİ LİTOGRAFİSİ “ DEVELOP PR 130-150 o C PUL

12 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran İTÜ FOTOLİTOGRAFİ-STEPPER STEPPER MASKE X-Y STAGE OPTİK KOLON UV KAYNAĞI

13 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 13 İTÜ FOTOLİTOGRAFİ – FAZ KAYMALI MASKE UV MASKE FOTO REZİST KONVANSYONEL MASKE ÜZERİNDEN IŞIKLANDIRMA UV FAZ KAYMALI MASKE ÜZERİNDEN IŞIKLANDIRMA

14 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 14 İTÜ ISIL OKSİTLEME Si + O 2 → SiO 2 KURU OKSİTLEME Si + 2H 2 O → SiO 2 + H 2 YAŞ OKSİTLEME ↕ 0.54 Tox ↕ 0.46 Tox Si SiO 2

15 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 15 İTÜ ISIL OKSİTLEME Si Ni No O 2 Konsantrasyonu x SiO 2

16 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 16 İTÜ ISIL OKSİTLEME

17 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 17 İTÜ ISIL OKSİTLEME D O (yaş)E A (yaş)D O (kuru)E A (kuru) B/A97 10 6 µm/h2.05 eV3.71 10 6 µm/h2.00 eV B386 µm 2 /h0.78 eV772 µm 2 /h1.23 eV B/A163 10 6 µm/h2.05 eV6.23 10 9 µm/h2.00 eV B386 µm 2 /h0.78 eV772 10 6 µm 2 /h1.23 eV Doğrusal ve parabolik oksit büyüme sabitleri

18 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 18 İTÜ ISIL OKSİTLEME Doğrusal oksit büyüme sabitinin sıcaklığa bağımlılığı

19 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 19 İTÜ ISIL OKSİTLEME Parabolikl oksit büyüme sabitinin sıcaklığa bağımlılığı

20 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 20 İTÜ ISIL OKSİTLEME Isıl oksitlerde elektriksel tuzak ve yükler 1.arayüzey tuzakları (interface trap) Q it 2.sabit arayüzey yükü ( fixed interface charge) Q f =710 14 atom/cm 2 =8 10 14 atom/cm2 3.hareketli iyonik yük (mobile ionic charge) Q M 4.oksit içi tuzaklanmış yükler (oxide trapped charge) Q OT x x x x x x x x x x x x x x x + + + + + + + + + + + + Na + K+K+ + - ++ - + -- Si SiO 2

21 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 21 İTÜ ISIL OKSİTLEME Arayüzey tuzak yoğunluğu Arayüzey tuzak yoğunluğu D it cm -2 eV -1 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 10 13 10 12 10 1110 10 9 Enerji [eV] EVEV ECEC

22 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 22 İTÜ KATKILAMA 1) Katı kaynaktan Spin-on, PSG, BSG 2) Gaz ortamında PH 3, B 2 H 6, AsH 3 POCl 3, BBr 3 Kabarcıklandırma 3) İyon ekme İyon ekme cihazı, çift yüklü ekme

23 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 23 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME gaz 25kV _ 0-200kV kütle spektrometresi. B pul hızlandırma odaklama saptırma İyon ekici filaman

24 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 24 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME Maskeleme : PR, SiO 2, Si 3 N 4, poly Kanallama : 7 o C, önceden amorflaştırma Çift yüklü ekim Vakum pompaları : difuzyon (source), cryo, turbomoleküler Kaçak bulma (He), iyonların ortalama serbest yolları Sacrificial oxide Annealing SIMOX

25 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 25 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME RPRP ΔRPΔRP NPNP 0.61 N P Derinlik Katkı yoğunluğu

26 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 26 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA)

27 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 27 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) Fick’in 1. yasası Fick’in 2. yasası 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 13579111315171921232527293133353739 0 10 20 40 80 Konum Ağırlık Adım

28 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 28 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) ÖNDEPOLAMALI C(x,∞) = 0 Taban katkı yoğunluğu

29 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 29 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) SABİT YÜZEY KONSANTRASYONLU C(x,0) = 0 C(0,t) = CS C(∞,t) = 0

30 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 30 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) ÖNDEPOLAMALI DODO EAEA B10.5 cm 2 /s3.69 eV P10.5 cm 2 /s3.69 eV As0.32 cm 2 /s3.56 eV Örnek: Borun silisyum içinde 1040 o C sıcaklıktaki difüzyon katsayısını bulunuz.

31 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 31 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI NKUYU “NWELL” Kanal durdurma “Channel stop” Vt ayarlama “Vt adjust” Poly katkılama Kaynak savak “source and drain” Pocket Punch-Through suppression

32 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 32 İTÜ FERMİ SEVİYESİ Ec Ev P-TİPİ g(E) Doldurulabilir durum yoğunluğu E E İletim elektron yoğunluğu ФFФF f FD (E) INTRINSIC Ф F =0 f FD (E) ∫ dE=ni N-TİPİ ФFФF f FD (E) N-TİPİ ФFФF f FD (E)

33 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 33 İTÜ FERMİ SEVİYESİ Ec Ev N-TİPİ g(E) Doldurulabilir durum yoğunluğu E E İletim elektron yoğunluğu ФFФF f FD (E)

34 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 34 İTÜ FERMİ SEVİYESİ PROBLEM : Fosfor’la 10 16 seviyesinde katkılanan silisyum bölgesinin oda sıcaklığındaki Fermi seviyesini bulunuz. V Ec Ev N-TİPİ Ф F =-0.348 eV

35 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 35 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 YIĞILMA (ACCUMULATION) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 DÜZBANT (FLATBAND) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 FAKİRLEŞME (DEPLETION) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) SiPOLY Si

36 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 36 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) Si POLY Si Vg Ф SOX V OX Eg/2 ΨSΨS

37 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 37 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 Si PTİPİ POLY Si Vg Ф SOX V OX

38 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 38 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH

39 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 39 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH PROBLEM : Bir N-kuyulu CMOS yapıda taban katkı yoğunlukları N A =5 10 14, N D =2 10 16 ve oksit kalınlığı 450 o A dür. Geçit 10 20 seviyesinde fosforla katkılanmış polisilisyum katmanından yapılmıştır. Etkin arayüzey yükü 1.2 10 10 dur. NMOS ve PMOS transistörleri eşik gerilimi ayarlama işlemi yapılmadan gerçeklenirse oluşacak eşik gerilimlerinin değerini bulunuz. NMOS:

40 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 40 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH NMOS:

41 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 41 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI PMOS:

42 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 42 İTÜ KISA-KANALDA EŞİK GERİLİMİ DEĞİŞİMİ xjxj xBxB xBxB n+n+ p taban geçit SiO 2 ΔLΔL

43 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 43 İTÜ DAR KANALDA EŞİK GERİLİMİ DEĞİŞİMİ xBxB p taban W L geçit Kaynak

44 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 44 İTÜ GÖVDE ETKİSİ SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) Si POLY Si Ф FG Ф FB Ec Ev Vg Ф SOX V OX Eg/2 ΨSΨS

45 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 45 İTÜ GÖVDE ETKİSİ V SB =0 V için eşik gerilimi

46 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 46 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI NKUYU “NWELL” Kanal durdurma “Channel stop” Vt ayarlama “Vt adjust” Poly katkılama Kaynak savak “source and drain” Pocket Punch-Through suppression

47 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 47 İTÜ -POLYSİLİSYUM: SiH 4 → Si + 2H 2 (580-650 o C) LPCVP Katkılama : insitu (POCl3) sadece N tıp poli, iyon ekme (P ve N tip poli) -Metalizasyon Evaporasyon %100 saf aluminyum (spiking ve gerekli eklem derinliği) Tozutma (sputtering) Si içeren Al, Si ve Cu içeren Al Cu : aşındırma zorlukları, Si içinde difüzyon,elektromigrasyon -Silisit(Silicide) oluşturma Self Aligned silicide TiSi 2, MoSi 2, TaSi 2, WSi 2 high res → agglomeration İLETKEN TABAKA DEPOLAMA

48 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 48 İTÜ MOS GCA YAKLAŞIMI p V DS y L W geçit n+n+ n+n+ + V GS +

49 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 49 İTÜ MOS GCA YAKLAŞIMI k : process transconductance parameter[A/V 2 ] β : device transconductance parameter[A/V 2 ]

50 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 50 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI p V DS y L W geçit n+n+ n+n+ + V GS +

51 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 51 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI θ

52 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 52 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI 10 3 10 4 10 5 Elektrik alan şiddeti V/cm Elektron hızı cm/s 10 7 10 6 μ n :eğim = 700cm 2 /Vs E c = 5 10 4 v s =1 10 7 700 200 μ n cm 2 /Vs

53 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 53 İTÜ HIZ DOYMASI Hız Doymasız Hız Doymalı

54 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 54 İTÜ EŞLEŞME Direnç Kapasite MOS tranzistör Bipolar tranzistör

55 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 55 İTÜ EŞİK ALTI EĞİMİ log I D VGVG n+n+ n+n+ VGVG C OX CDCD WDWD

56 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 56 İTÜ KANAL BOYU MODÜLASYONU L W geçit n+n+ n+n+ V GS + +++ V DS IDID

57 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 57 İTÜ ÇIKIŞ DİRENCİ V DS IDID Triode CLM DIBL SCBE CLM : Channel Length Modulation DIBL : Drain Induced Barrier Lowering SCBE : Substrate Current Induced Body Effect

58 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 58 İTÜ CLM ve DIBL L W geçit n+n+ n+n+ V GS V DS L W geçit n+n+ n+n+ V GS + V DS + + + + ++ + ++ IDID IDID VT↓VT↓

59 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 59 İTÜ SCBE W geçit n+n+ n+n+ + V GS + VBVB e-e- h e-e- V DS ECEC EVEV EFEF E FI

60 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 60 İTÜ GIDL V DD n+n+ GND p-p- h h savak geçit taban V DD =5V 3V 2V I SUB NDND 10 18 10 19

61 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 61 İTÜ DİKEY ELEKTRİKSEL ALANIN MOBİLİTEYE ETKİSİ 1.6,1 0.5 670,160 cm 2 /Vs 0.67,0.7 MV/cm E eff [MV/cm] μ n, μ p [cm 2 /Vs] 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 600 200 800 400

62 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 62 İTÜ HOT CARRIER INJECTION 3 10 10 [1/cm 2 ] 2 10 6 [V/cm] 5 10 6 [V/cm] E LAT <0.6MV/cm Drain breakdown E LAT <0.2MV/cm Hot electron injection Prosese bağlı sabit I D de % 10 uk değişim süresi

63 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 63 İTÜ HOT CARRIER INJECTION W geçit n+n+ n+n+ + V GS + e-e- h e-e- V DS ECEC EVEV EFEF E FI SiO 2 Geçit ECEC EVEV

64 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 64 İTÜ MOS SCALING

65 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 65 İTÜ MOS SCALING

66 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 66 İTÜ MOS SCALING

67 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 67 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ L W geçit n+n+ n+n+ L W n+n+ n+n+ DOYMALI DOYMASIZ

68 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 68 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ ÖRNEK T OX =50 o A L=0.35 µm, W=10 µm, L OWL =0.055 µm olmak üzere Doymalı bölgede geçit-kaynak ve geçit-savak kapasitelerini bulunuz.

69 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 69 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ ÖRNEK T OX =50 o A L=0.35 µm, W=10 µm, R □poly =7 Ω/□ olmak üzere geçit kapasitesinin neden olduğu üst kesim frekansını bulunuz.

70 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 70 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

71 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 71 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

72 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 72 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

73 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 73 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

74 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 74 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

75 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 75 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ n+n+ p V CE + 2V B E V BE +

76 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 76 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ n+n+ p V CE + 8V B E V BE +

77 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 77 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR

78 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 78 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR

79 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 79 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR ihmal Sürekli hal Difüzyon uzaklığı

80 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 80 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR Ortak Bazlı akım kazancı Emetör verimi Baz transport faktörü Kollektör verimi

81 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 81 İTÜ EKLER

82 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 82 İTÜ ÇİFT POLİLİ BIPOLAR TRANSİSTÖR PROSESİ STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+

83 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 83 İTÜ ÇİFT POLİLİ BIPOLAR TRANSİSTÖR PROSESİ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N + POLY STI SiO 2 P + POLY P+P+ P+P+ STI SiO 2 N + POLY P + POLY N-EPI

84 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 84 İTÜ CMOS PROSES AKIŞI “ DEVELOP PR 130-150 o C PUL MASKE UV

85 CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 85 İTÜ

86 FOX P TABAN p+p+ N-KUYU VT ayarlama ekimi Geçit oksidi POLİSİLİSYUM CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 86 İTÜ

87 FOX P TABAN p+p+ N-KUYU CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 87 İTÜ

88 Low-K Met N C hemical M echanical P olishing Via N Met N+1 CMOS PROSES AKIŞI – DAMASCENE METALİZASYON PROSESİ EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 88 İTÜ

89 65432106543210 Enerji seviyesi Durumlar 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Sistemin toplam enerjisi 6 birim FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 89 İTÜ

90 Abcdefg harflerini kaç değişik şekilde sıralayabilirsiniz ? Aaabbbb harflerini kaç şekilde sıralayabilirsiniz ? a 1 7 n i adet parçacığı g i kutuya kaç değişik şekilde sıralayabilirsiniz ? Her kutuya en fazla bir parçacık girebilir. baabbba= baabbba FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 90 İTÜ

91 i=1 i=M i=4597 FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 91 İTÜ

92 parçacık saysının korunumu enerjinin korunumu FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 92 İTÜ

93 R H Silindirik konserve kutusunun en az materyal (teneke) harcanarak en büyük hacme sahip olması isteniyor. Bu şartı sağlayan oranının bulunması FERMİ-DIRAC DAĞILIMI – LAGRANGE ÇARPANLARI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 93 İTÜ

94 FERMİ-DIRAC DAĞILIMI - LAGRANGE ÇARPANLARI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 94 İTÜ


"EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi." indir ppt

Benzer bir sunumlar


Google Reklamları