Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi.

Benzer bir sunumlar


... konulu sunumlar: "EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi."— Sunum transkripti:

1 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi 2009 Barbaros Şekerkıran

2 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 2 İTÜ KAYNAKLAR 1) Introduction to Microelectronic Fabrication Richard C. Jeager, Modular Series on Solid State Devices, ) Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 1 Process Technology, Stanley Wolf, R.N. Tauber Volume 2 Process Integration, Stanley Wolf, Volume 3 The Submicron MOSFET, Stanley Wolf, Lattice Press, 3) Physics and Technology of Semiconductor Devices Andrew S. Grove, John Wiley&Sons, ) Introduction to Microfabrication Sami Franssila, John Wiley&Sons

3 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 3 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ Vakumlu Tüp Teknolojisi Tranzistörün bulunması 1947 Bell Laboratuarları

4 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 4 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ BELL Laboratuarında gerçeklenen Modern bir tümdevre (1997) ilk nokta değmeli transistör (1947)

5 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 5 İTÜ MİKROELEKTRONİK TEKNOLOJİSİ TARİHİ

6 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 6 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Periyodik Tablo 5 B C N7N 8O8O 13 Al Si P S 30 Zn 31 Ga Ge As Se 48 Cd 49 In 50 Sn 51 Sb 52 Te III IV V

7 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 7 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Eg eV Enerji band yapısı µn/ µp cm 2 Vs v NSAT m s Κ W cm o C ısıl oksit özelliği Üretim işlemlerine uygunluk Si1.12←↓←↓ iyimükemmel Ge0.66←↓←↓ zayıf GaAs1.42 ↓ zayıf

8 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 8 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Silisyumun enerji band yapısı

9 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 9 İTÜ YARIİLETKEN MALZEMELER Silisyum, GaAs ve InP kristallerinde taşıyıcı hız doyması v d x 10 7 cm/s n-InP n- GaAs E (kV/cm) 10 7 V d (cm/s) 10 5 E (V/cm) Si

10 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 10 İTÜ TEMEL PROSES ADIMLARI 1) LİTOGRAFİ 2) ISIL OKSİTLEME 3) KATKILAMA – DİFÜZYON (YAYINMA) 4) DEPOZİSYON 5) AŞINDIRMA

11 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 11 İTÜ LİTOGRAFİ 1) FOTOLİTOGRAFİ 2) ELEKTRON DEMETİ LİTOGRAFİSİ “ DEVELOP PR o C PUL

12 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran İTÜ FOTOLİTOGRAFİ-STEPPER STEPPER MASKE X-Y STAGE OPTİK KOLON UV KAYNAĞI

13 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 13 İTÜ FOTOLİTOGRAFİ – FAZ KAYMALI MASKE UV MASKE FOTO REZİST KONVANSYONEL MASKE ÜZERİNDEN IŞIKLANDIRMA UV FAZ KAYMALI MASKE ÜZERİNDEN IŞIKLANDIRMA

14 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 14 İTÜ ISIL OKSİTLEME Si + O 2 → SiO 2 KURU OKSİTLEME Si + 2H 2 O → SiO 2 + H 2 YAŞ OKSİTLEME ↕ 0.54 Tox ↕ 0.46 Tox Si SiO 2

15 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 15 İTÜ ISIL OKSİTLEME Si Ni No O 2 Konsantrasyonu x SiO 2

16 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 16 İTÜ ISIL OKSİTLEME

17 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 17 İTÜ ISIL OKSİTLEME D O (yaş)E A (yaş)D O (kuru)E A (kuru) B/A µm/h2.05 eV µm/h2.00 eV B386 µm 2 /h0.78 eV772 µm 2 /h1.23 eV B/A µm/h2.05 eV µm/h2.00 eV B386 µm 2 /h0.78 eV µm 2 /h1.23 eV Doğrusal ve parabolik oksit büyüme sabitleri

18 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 18 İTÜ ISIL OKSİTLEME Doğrusal oksit büyüme sabitinin sıcaklığa bağımlılığı

19 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 19 İTÜ ISIL OKSİTLEME Parabolikl oksit büyüme sabitinin sıcaklığa bağımlılığı

20 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 20 İTÜ ISIL OKSİTLEME Isıl oksitlerde elektriksel tuzak ve yükler 1.arayüzey tuzakları (interface trap) Q it 2.sabit arayüzey yükü ( fixed interface charge) Q f = atom/cm 2 = atom/cm2 3.hareketli iyonik yük (mobile ionic charge) Q M 4.oksit içi tuzaklanmış yükler (oxide trapped charge) Q OT x x x x x x x x x x x x x x x Na + K+K Si SiO 2

21 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 21 İTÜ ISIL OKSİTLEME Arayüzey tuzak yoğunluğu Arayüzey tuzak yoğunluğu D it cm -2 eV Enerji [eV] EVEV ECEC

22 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 22 İTÜ KATKILAMA 1) Katı kaynaktan Spin-on, PSG, BSG 2) Gaz ortamında PH 3, B 2 H 6, AsH 3 POCl 3, BBr 3 Kabarcıklandırma 3) İyon ekme İyon ekme cihazı, çift yüklü ekme

23 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 23 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME gaz 25kV _ 0-200kV kütle spektrometresi. B pul hızlandırma odaklama saptırma İyon ekici filaman

24 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 24 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME Maskeleme : PR, SiO 2, Si 3 N 4, poly Kanallama : 7 o C, önceden amorflaştırma Çift yüklü ekim Vakum pompaları : difuzyon (source), cryo, turbomoleküler Kaçak bulma (He), iyonların ortalama serbest yolları Sacrificial oxide Annealing SIMOX

25 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 25 İTÜ KATKILAMA – İYON EKME RPRP ΔRPΔRP NPNP 0.61 N P Derinlik Katkı yoğunluğu

26 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 26 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA)

27 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 27 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) Fick’in 1. yasası Fick’in 2. yasası Konum Ağırlık Adım

28 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 28 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) ÖNDEPOLAMALI C(x,∞) = 0 Taban katkı yoğunluğu

29 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 29 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) SABİT YÜZEY KONSANTRASYONLU C(x,0) = 0 C(0,t) = CS C(∞,t) = 0

30 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 30 İTÜ DiFÜZYON (YAYINMA) ÖNDEPOLAMALI DODO EAEA B10.5 cm 2 /s3.69 eV P10.5 cm 2 /s3.69 eV As0.32 cm 2 /s3.56 eV Örnek: Borun silisyum içinde 1040 o C sıcaklıktaki difüzyon katsayısını bulunuz.

31 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 31 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI NKUYU “NWELL” Kanal durdurma “Channel stop” Vt ayarlama “Vt adjust” Poly katkılama Kaynak savak “source and drain” Pocket Punch-Through suppression

32 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 32 İTÜ FERMİ SEVİYESİ Ec Ev P-TİPİ g(E) Doldurulabilir durum yoğunluğu E E İletim elektron yoğunluğu ФFФF f FD (E) INTRINSIC Ф F =0 f FD (E) ∫ dE=ni N-TİPİ ФFФF f FD (E) N-TİPİ ФFФF f FD (E)

33 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 33 İTÜ FERMİ SEVİYESİ Ec Ev N-TİPİ g(E) Doldurulabilir durum yoğunluğu E E İletim elektron yoğunluğu ФFФF f FD (E)

34 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 34 İTÜ FERMİ SEVİYESİ PROBLEM : Fosfor’la seviyesinde katkılanan silisyum bölgesinin oda sıcaklığındaki Fermi seviyesini bulunuz. V Ec Ev N-TİPİ Ф F = eV

35 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 35 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 YIĞILMA (ACCUMULATION) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 DÜZBANT (FLATBAND) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 FAKİRLEŞME (DEPLETION) SiPOLY Si Vg Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) SiPOLY Si

36 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 36 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) Si POLY Si Vg Ф SOX V OX Eg/2 ΨSΨS

37 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 37 İTÜ MOS YAPILARDA EŞİK GERİLİMİ Ф FG Ф FB Ec Ev SiO 2 Si PTİPİ POLY Si Vg Ф SOX V OX

38 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 38 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH

39 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 39 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH PROBLEM : Bir N-kuyulu CMOS yapıda taban katkı yoğunlukları N A = , N D = ve oksit kalınlığı 450 o A dür. Geçit seviyesinde fosforla katkılanmış polisilisyum katmanından yapılmıştır. Etkin arayüzey yükü dur. NMOS ve PMOS transistörleri eşik gerilimi ayarlama işlemi yapılmadan gerçeklenirse oluşacak eşik gerilimlerinin değerini bulunuz. NMOS:

40 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 40 İTÜ MOS EŞİK GERİLİMİ V TH NMOS:

41 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 41 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI PMOS:

42 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 42 İTÜ KISA-KANALDA EŞİK GERİLİMİ DEĞİŞİMİ xjxj xBxB xBxB n+n+ p taban geçit SiO 2 ΔLΔL

43 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 43 İTÜ DAR KANALDA EŞİK GERİLİMİ DEĞİŞİMİ xBxB p taban W L geçit Kaynak

44 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 44 İTÜ GÖVDE ETKİSİ SiO 2 EVİRTİM (INVERSION) Si POLY Si Ф FG Ф FB Ec Ev Vg Ф SOX V OX Eg/2 ΨSΨS

45 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 45 İTÜ GÖVDE ETKİSİ V SB =0 V için eşik gerilimi

46 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 46 İTÜ CMOS PROSESİNDE KATKILAMA ADIMLARI NKUYU “NWELL” Kanal durdurma “Channel stop” Vt ayarlama “Vt adjust” Poly katkılama Kaynak savak “source and drain” Pocket Punch-Through suppression

47 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 47 İTÜ -POLYSİLİSYUM: SiH 4 → Si + 2H 2 ( o C) LPCVP Katkılama : insitu (POCl3) sadece N tıp poli, iyon ekme (P ve N tip poli) -Metalizasyon Evaporasyon %100 saf aluminyum (spiking ve gerekli eklem derinliği) Tozutma (sputtering) Si içeren Al, Si ve Cu içeren Al Cu : aşındırma zorlukları, Si içinde difüzyon,elektromigrasyon -Silisit(Silicide) oluşturma Self Aligned silicide TiSi 2, MoSi 2, TaSi 2, WSi 2 high res → agglomeration İLETKEN TABAKA DEPOLAMA

48 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 48 İTÜ MOS GCA YAKLAŞIMI p V DS y L W geçit n+n+ n+n+ + V GS +

49 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 49 İTÜ MOS GCA YAKLAŞIMI k : process transconductance parameter[A/V 2 ] β : device transconductance parameter[A/V 2 ]

50 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 50 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI p V DS y L W geçit n+n+ n+n+ + V GS +

51 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 51 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI θ

52 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 52 İTÜ HIZ DOYMALI MOS CGA YAKLAŞIMI Elektrik alan şiddeti V/cm Elektron hızı cm/s μ n :eğim = 700cm 2 /Vs E c = v s = μ n cm 2 /Vs

53 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 53 İTÜ HIZ DOYMASI Hız Doymasız Hız Doymalı

54 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 54 İTÜ EŞLEŞME Direnç Kapasite MOS tranzistör Bipolar tranzistör

55 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 55 İTÜ EŞİK ALTI EĞİMİ log I D VGVG n+n+ n+n+ VGVG C OX CDCD WDWD

56 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 56 İTÜ KANAL BOYU MODÜLASYONU L W geçit n+n+ n+n+ V GS V DS IDID

57 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 57 İTÜ ÇIKIŞ DİRENCİ V DS IDID Triode CLM DIBL SCBE CLM : Channel Length Modulation DIBL : Drain Induced Barrier Lowering SCBE : Substrate Current Induced Body Effect

58 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 58 İTÜ CLM ve DIBL L W geçit n+n+ n+n+ V GS V DS L W geçit n+n+ n+n+ V GS + V DS IDID IDID VT↓VT↓

59 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 59 İTÜ SCBE W geçit n+n+ n+n+ + V GS + VBVB e-e- h e-e- V DS ECEC EVEV EFEF E FI

60 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 60 İTÜ GIDL V DD n+n+ GND p-p- h h savak geçit taban V DD =5V 3V 2V I SUB NDND

61 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 61 İTÜ DİKEY ELEKTRİKSEL ALANIN MOBİLİTEYE ETKİSİ 1.6, ,160 cm 2 /Vs 0.67,0.7 MV/cm E eff [MV/cm] μ n, μ p [cm 2 /Vs]

62 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 62 İTÜ HOT CARRIER INJECTION [1/cm 2 ] [V/cm] [V/cm] E LAT <0.6MV/cm Drain breakdown E LAT <0.2MV/cm Hot electron injection Prosese bağlı sabit I D de % 10 uk değişim süresi

63 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 63 İTÜ HOT CARRIER INJECTION W geçit n+n+ n+n+ + V GS + e-e- h e-e- V DS ECEC EVEV EFEF E FI SiO 2 Geçit ECEC EVEV

64 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 64 İTÜ MOS SCALING

65 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 65 İTÜ MOS SCALING

66 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 66 İTÜ MOS SCALING

67 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 67 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ L W geçit n+n+ n+n+ L W n+n+ n+n+ DOYMALI DOYMASIZ

68 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 68 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ ÖRNEK T OX =50 o A L=0.35 µm, W=10 µm, L OWL =0.055 µm olmak üzere Doymalı bölgede geçit-kaynak ve geçit-savak kapasitelerini bulunuz.

69 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 69 İTÜ MOS TRANSİSTÖR KAPASİTELERİ ÖRNEK T OX =50 o A L=0.35 µm, W=10 µm, R □poly =7 Ω/□ olmak üzere geçit kapasitesinin neden olduğu üst kesim frekansını bulunuz.

70 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 70 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

71 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 71 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

72 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 72 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

73 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 73 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

74 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 74 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ B E n+n+ p

75 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 75 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ n+n+ p V CE + 2V B E V BE +

76 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 76 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR C n-n- n+n+ n+n+ p V CE + 8V B E V BE +

77 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 77 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR

78 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 78 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR

79 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 79 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR ihmal Sürekli hal Difüzyon uzaklığı

80 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 80 İTÜ BIPOLAR TRANSİSTÖR Ortak Bazlı akım kazancı Emetör verimi Baz transport faktörü Kollektör verimi

81 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 81 İTÜ EKLER

82 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 82 İTÜ ÇİFT POLİLİ BIPOLAR TRANSİSTÖR PROSESİ STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI SiO 2 N-EPI P + POLY STI N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+ B+B+

83 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 83 İTÜ ÇİFT POLİLİ BIPOLAR TRANSİSTÖR PROSESİ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N-EPI STI SiO 2 P + POLY P+P+ STI SiO 2 P + POLY P+P+ N + POLY STI SiO 2 P + POLY P+P+ P+P+ STI SiO 2 N + POLY P + POLY N-EPI

84 EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 84 İTÜ CMOS PROSES AKIŞI “ DEVELOP PR o C PUL MASKE UV

85 CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 85 İTÜ

86 FOX P TABAN p+p+ N-KUYU VT ayarlama ekimi Geçit oksidi POLİSİLİSYUM CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 86 İTÜ

87 FOX P TABAN p+p+ N-KUYU CMOS PROSES AKIŞI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 87 İTÜ

88 Low-K Met N C hemical M echanical P olishing Via N Met N+1 CMOS PROSES AKIŞI – DAMASCENE METALİZASYON PROSESİ EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 88 İTÜ

89 Enerji seviyesi Durumlar Sistemin toplam enerjisi 6 birim FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 89 İTÜ

90 Abcdefg harflerini kaç değişik şekilde sıralayabilirsiniz ? Aaabbbb harflerini kaç şekilde sıralayabilirsiniz ? a 1 7 n i adet parçacığı g i kutuya kaç değişik şekilde sıralayabilirsiniz ? Her kutuya en fazla bir parçacık girebilir. baabbba= baabbba FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 90 İTÜ

91 i=1 i=M i=4597 FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 91 İTÜ

92 parçacık saysının korunumu enerjinin korunumu FERMİ-DIRAC DAĞILIMI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 92 İTÜ

93 R H Silindirik konserve kutusunun en az materyal (teneke) harcanarak en büyük hacme sahip olması isteniyor. Bu şartı sağlayan oranının bulunması FERMİ-DIRAC DAĞILIMI – LAGRANGE ÇARPANLARI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 93 İTÜ

94 FERMİ-DIRAC DAĞILIMI - LAGRANGE ÇARPANLARI EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2008 Barbaros Şekerkıran 94 İTÜ


"EL427 Mikroelektronik Teknolojisi-2009 Barbaros Şekerkıran 1 İTÜ Mikroelektronik Teknolojisi İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Fakültesi." indir ppt

Benzer bir sunumlar


Google Reklamları