Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİTranzistörTranzistör 2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör ä ä Tranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir.

Benzer bir sunumlar


... konulu sunumlar: "Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİTranzistörTranzistör 2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör ä ä Tranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir."— Sunum transkripti:

1 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİTranzistörTranzistör Diyot Olarak Tranzistör ä ä Tranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir. Tranzistörün iki kapısı kısa devre edilerek veya tümdevre (ICs) üretimindeki tasarım sırasında dışarıya sadece iki uç çıkartılarak diyot gibi kullanılır.

2 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Darlington Darlington Tipi Güç Tranzistörleri   G üç tranzistörlerinde, baz ucundan yapılan sürme işlemi sırasında, büyük kolektör akımlarında büyük baz akımları gerektirir. Örneğin 100A'lik kolektör akımına sahip bir güç tranzistöründe 10A'lık bir baz akımı gerekir. Bu amaçla, bir tranzistör, diğer bir tranzistörü iletime sürecek şekilde bağlanıp ortak kolektör beslemesi şeklinde akım kazancı arttırılarak darlington bağlantı oluşturulur.

3 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Darlington

4 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Darlington

5 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  2.5 ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER  FET:Field Effect Transistor  Üç uçlu bir eleman olup geniş bir uygulama alanı vardır. MOSFET ve JFET olmak üzere iki özel yapı şekli tranzistör tipi bulunmaktadır. FET'ler tümdevre yongası üzerinde, normal iki kutuplu tranzistörlerden daha az yer kaplarlar. Örneğin MOSFET, tek bir yonga üzerinde oluşturulabilir. Alan Etkili Tranzistörler

6 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ p tipi kanal S G D (c) n+n+ n+n+ G + V GS - IGIG I S S D I D + V DS - (d) Tranzistör tutucusu (Sıkıştırma yayı) Soğutucu profil n tipi kanal S G D (a) p+p+ p+p+ G + V GS - D I D + V DS - IGIG I S S (b) Alan Etkili Tranzistörler

7 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  Alan etkili tranzistörler FET ve JFET olarak iki guruptur. Alan Etkili Tranzistörler

8 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  Güç MOSFET'leri (Power MOSFETs)  Alan etkili tranzistörlerin, güç devrelerinde kullanılan tipidir. Son yıllarda gelişen teknoloji ile MOSFET (Metal Oxide Semicon­ductor Field Effect Transistor) ler 500V ve 30 A sınırında çalışabilecek özelliklerde üretilmektedirler. Tranzistör ve Mosfet

9 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet

10 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  Güç tranzistörlerinden daha düşük güçte kumanda sinyalleri ile denetlenebilirler.  Yüksek frekanslarda kullanılabilirler. (özellikle 1-10GHz arasında) Tranzistör ve Mosfet

11 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet

12 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet

13 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet  K apıdaki metal alan ile n veya p yarıiletken bölge arası, dielektrik (elektriksel yalıtkan) oksit tabakası ile yalıtımlı bir paralel kondansatör özelliği gösterir. Dolayısıyla bu tip FET'lerin kapıları yalıtılmış olur ve bu FET'ler IGFET (Insu­lated Gate FET) olarak da tanımlanır.

14 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet  VMOS veya GüçFET'leri  MOSFET'lerde taşıyıcılar, sorce'den drain'e yatay olarak akarlar. Modern üretim teknolojileri ile, MOS'larda yüksek giriş empedansı ve yüksek anahtarlama hızları elde edilmektedir. Böyle MOSFET'lere, yüksek yayılımlı MOS veya VMOS (Vertical MOS) denir. Üretim özelliklerinden dolayı, akım dikey olarak, elektronların akış yönünün ters yönünde akar.

15 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet

16 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet  TEK EKLEMLİ TRANZİSTÖRLER (UJT :Uni Junction Transistor)  Standart UJT  Üç uçlu bir eleman olan UJT, bir tranzistör gibi davranır. Genel olarak, uygu­lamalarda bir osilatör devresi olarak kullanılır. Bazen de akım veya gerilim algılayıcısı görevi görür. UJT'ler geniş oranda tristör tetikleme elemanı olarak kullanılırlar.

17 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve Mosfet

18 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve UJT  CUJT (Complementary UJT)  Sürekli çalışma gerilimi düşük, daha kararlı bir UJT'dir. Standart UJT ile aynı öz değerlere sahiptir. Aralarındaki fark, standart UJT'ye göre uygulanan gerilimin ters kutuplu olmasıdır.

19 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve IGBT  IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) MOSFET’lere benzer bir yarıiletken yapısı olan yalıtımlı kapılı tranzistörlerdir. MOSFET’ten en önemli farkı, drain ucunu p + tabakası oluşturur. IGBT’ler, iki kutuplu tranzistörlerden farklı olarak denetim parametreleri; giriş akımı yerine, giriş ve gate-source gerilimleridir.

20 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve IGBT

21 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Tranzistör ve IGBT

22 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  IGBT’lerin Tipik bazı parametreleri;  V CES, Kollektör-Emiter Gerilimi (V GS = 0’da) :600 V  V GE, Kapı-Emiter Gerilimi :  20 V  I C, Kollektör Akımı (sürekli ve T C =25  C de) :6A  I CM, Kollektör Akımı (darbeli iletimde ) :25 A  P T, Toplam Kayıp Güç (T C =25  C de) :40W  T J, İşletme Sıcaklığı (T depo. ) :-65 ile 150  C  T J, Maksimum Eklem Sıcaklığı :150  C  T JC, Eklem-Gövde Isıl Direnci:3,25 W/  C  V GE(th), Kapı Eşik Gerilimi :2,5 ile 5V arası Tranzistör ve IGBT

23 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  t d(on), Gecikme Süresi :170 ns  t r, Yükselme Süresi :540 ns  t d(o ff), Kesim Gecikme Süresi:3,4  s  IGBT’lerde iletim kayıplarının MOSFET’lere oranla daha düşük olmasından dolayı yüksek gerilimli uygulamalarda, MOSFET’lerin yerine tercih edilirler.  Akımın sıfır geçişinde anahtarlama veya rezonans anahtarlama tekniklerinin kullanılmasıyla yüzlerce KHz anahtarlama frekans oranlarında çalıştırılabilirler. IGBTIGBT

24 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİIGBTIGBT !... KARŞILAŞTIRMA

25 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ  IGBT’lerin MOSFET’lerden bir farkı da ters paralel bağlı bir diyotlarının olmayışıdır. Bu nedenle devre tasarımcıları, motor denetiminde IGBT kullandıklarında yükte oluşabilecek zıt emk’ların olumsuz etkilerini önlemek için devreye ters paralel bağlı bir diyot kullanırlar. IGBTIGBT

26 Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİIGBTIGBT

27 Bölüm Sonu TESEKKÜRLER N. ABUT


"Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİTranzistörTranzistör 2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör ä ä Tranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir." indir ppt

Benzer bir sunumlar


Google Reklamları