Ön Çalışma BC546, BC547, BC548 transistörlerinin

Slides:



Advertisements
Benzer bir sunumlar
Alan Etkili Transistör (FET)
Advertisements

Elektrik-Elektronik Mühendisliği için Malzeme Bilgisi
SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ
TC ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ PROJE ÖDEVİ HAZIRLAYANLAR ERDİNÇ.
Bölüm I Temel Kavramlar
DC-AC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER / İNVERTERLER
1 Yarıiletken Diyotlar.
Transistörlü Küçük İşaret Yükselticileri
Emitter direnci köprülenmiş yükselteç
Yarı İletken Maddeler Diyot Transistor
Ohm Kanunu Direnç ve Çeşitleri Diyotlar LED’ler Transistörler
Transistörler.
TRANSİSTÖR VE ENDÜSTRİYEL KONTROL ARIZA ANALİZİ.
2.4.TRANZİSTÖR Tranzistörler, iki amaçla kullanılan üç uçlulardır. Bu amaçlardan biri anahtar olarak kullanılması, diğeri ise yükseltici görevi yapacak.
Diyot Olarak Tranzistör
Introduction to electronics and telecommunication engineering
Temel Kanunlar ve Temel Elektronik
SENSÖR VE TRANSDUSERLER
Bölüm 2: Seri ve Paralel Direnç Devrelerinin İncelenmesi-1
TRANSİSTÖR.
1. ÖLÇME VE SİNYAL ANALİZİNE GİRİŞ
Bölüm 4: Osiloskop ve Osiloskop ile Ölçme
Resim Çeşitli transistörler
ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
İLETİŞİM LABORATUVARI
AC Kuplajlı Yükselteçler Türev ile İntegral Devreleri
Bu slayt, tarafından hazırlanmıştır.
Elektrik-Elektronik Mühendisliği için Malzeme Bilgisi
Bölüm 1: Ohm Yasası ve Ohm Yasası ile Direnç Ölçümü
ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
Bölüm 3: Seri ve Paralel Direnç Devrelerinin İncelenmesi-2
ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
Bölüm 10: Seri Rezonans Devresinin İncelenmesi
ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
TEMEL ELEKTRONİK -2-.
Ön Çalışma Deneyin 2. ve 3. adımında kurulacak ve ölçümü alınacak devreleri simülasyon programında kurarak istenilen ölçümleri program yardımıyla alınız.
Şekil 13. 8B’de verici ve alıcı ayrı, ayrı yerlerdedir
Transistörler.
Ön Çalışma BS107A, IRF540 MOSFET’lerinin aşağıdaki katalog değerlerini bulunuz. Maximum Power Dissipation VDSmax RDS(ON) Gate Threshold Voltage Continuous.
ÖN ÇALIŞMA Yapılacak deneyleri SPICE tabanlı simülasyon programları ile deneyiniz. Bu sonuçları pratik sonuçlar ile karşılaştıracağınızdan not ediniz.
Ön Çalışma Genlik değeri +2 V/-2 V arasında değişen 1 ms periyotlu simetrik kare dalganın Ortalama ve efektif değerini hesaplayınız. Ortalama değerin 2.5.
OTO2005 Elektrik ve Elektronik OTO Dr. Barış ERKUŞ 2013.
Güç Transistörleri ve DA-DA Dönüştürücüler
Dijital Elektronik Bipolar Tekniği ile Gerçekleştirilen Sayısal Kapı Aileleri.
7.Hafta İşlemsel Yükselteçler 2
Diyot Giriş Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadığımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden.
1.Hafta Transistörlü Yükselteçler 1
Alan Etkili Transistör ve Yapısı
Elektronik I Lab.
2.Hafta Transistörlü Yükselteçler 2
Transistör ve Yapısı.
ARDUİNO Arduino Eğitimleri Bölüm 6 Analog Giriş – Çıkış İşlemleri
5.Hafta Transistörlü Yükselteçler 5
İşlemsel Kuvvetlendirici
ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
Eleman Tanım Bağıntıları
npn Bipolar Tranzistör Alçak Frekanslardaki Eşdeğeri
ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI
+ + v v _ _ Hatırlatma Lineer Olmayan Direnç
_ _ Bazı Lineer 2-kapılı Direnç Elemanları
ANAHTARLAMALI DA-DA ÇEVİRİCİLER YÜKSELTİCİ TİP (BOOST) ÇEVİRİCİLER
Lineer olmayan 2-kapılı Direnç Elemanları
Akım kontrollü gösterimini elde ediniz
NET 205 GÜÇ ELEKTRONİĞİ Öğr. Gör. Taner DİNDAR
Ders 5 Devre Bağlantıları
Elektronik Devre Sembolleri
Analog Elektronik Hafta 1
Elektronik Devre Örnekleri
1 Yarıiletken Diyotlar.
ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI
Sunum transkripti:

Ön Çalışma BC546, BC547, BC548 transistörlerinin Katalog değerlerinde VCEO, VCBO, IC parametreleri için maksimum değerlerini karşılaştırınız. Transistörler için izin verilen maksimum güç nedir? VCE(SAT) değeri hangi değer aralığındadır, hangi koşul için verilmiştir. BC547A ile BC547C arasında nasıl bir fark vardır? TO-92 kılıf için bacak bağlantılarını çiziniz. Deneyin 3. adımındaki ölçümleri ve hesaplanacak değerleri Vs=3V ve Vs=6V için simülasyon programı ile alınız. Gerilim ölçümleri ile bu parametreleri hesaplamaya çalışınız.

ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DENEY-3 Bipolar Jonksiyon Transistör (BJT) DC Karakteristikleri Dr. Koray GÜRKAN

TRANSİSTÖR BJT (Bipolar Junction Transistor) FET (Field Effect Transistor) MOSFET (metal–oxide–semiconductor FET) UJT (Unipolar Junction Transistor)

BJT n p n p n p E B C E B C C C B B E E NPN PNP

IC IB IE VBE < 0.7 Tıkama VBE > 0.7 VCE> VCE(SAT) Aktif NPN Transistor VBE < 0.7 Tıkama VBE > 0.7 VCE> VCE(SAT) Aktif VCE < VCE(SAT) Doyma IB IE IC VCE VBE IE=IB+IC IC=b.IB IE=(b+1)IB

http://www.fairchildsemi.com/ds/BC/BC547.pdf

Transistor Kılıfları (Package) SOT-23 SOT-223

Deney Malzemeleri BC546/547/548 (Genel Amaçlı Transistör) 100 kW, 1 kW, 100 W direnç Multimetre ETS-7000 Deney Seti Bağlantı kabloları

1. Deney Transistör Testi (Doğrudan Ölçüm) ???? hFE = ..........

2. Deney Diyot Testi ile Ölçüm ???? C B E BE: ........ EB: ........ BC: ........ CB: ........

3. Deney 1 k 100 k 100 +5V VC VS VB VE VS tabloya göre ayarlanacak, VB,VC,VE gerilimleri ölçülecek. 100

VS VB VE VC VBE VCE IB IC IE hFE Ölçülecek Burada Hesaplanacak 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 4.0 5.0 6.0

Rapor Ölçüm sonuçlarını Excel programına aktararak tablo şeklinde veriniz. Ölçüm sonuçlarına göre her Vs değeri için çalışma bölgesini belirleyiniz. Ölçüm sonuçlarına göre VBE-IB, VCE-IC, VCE-hFE, IB-IC eğrilerini çizdiriniz ve yorumlayınız.