Transistörlü Küçük İşaret Yükselticileri

... konulu sunumlar: "Transistörlü Küçük İşaret Yükselticileri"— Sunum transkripti:

1 Transistörlü Küçük İşaret Yükselticileri
Kısım 4

2 ☺Bu bölümde transistörün yükselteç olarak nasıl çalıştırılacağını öğreneceksiniz. Yükselteç tasarımında dikkat edilmesi gereken özellikleri belirleyip, küçük işaretlerin nasıl yükseltildiğini anlayacaksınız. ☺ Yükselteç devrelerinin analizi iki temelde yapılmaktadır. Bunları kısaca DC çalışma şartlarının analizi ve AC çalışma şartlarının analizi olarak tanımlayabiliriz.

3 Şekil 4.1 Gerilim bölücü polarmalı küçük işaret yükselteç devresi
[vs] [VS + VB] [VCE] [Vyük ] Şekil 4.1 Gerilim bölücü polarmalı küçük işaret yükselteç devresi

4 Şekil 4.3 Yükselteç devresinde yükseltme işleminin grafiksel analizi
VCE (V) 40 uA 30 uA 20 uA IC 4mA 3mA 2mA Q Şekil 4.3 Yükselteç devresinde yükseltme işleminin grafiksel analizi

5 Transistörün bir yükselteç olarak çalışabilmesi için öncelikli koşul, transistörün aktif bölgede çalışmasıdır. Bu ise DC polarma ile sağlanır. Transistörlü yükselteçlerinin analizinde ilk aşama DC polarma akım ve gerilimlerinin sağlanıp çalışma noktasının belirlenmesidir. Yapılan yükselteç tasarımı veya analizinde eğer transistör aktif bölgede çalışmıyorsa, AC analiz yapmanın anlamı olmayacaktır.

6 Transistörlü Küçük İşaret Yükseltecilerinde DC Analiz
Küçük işaret yükselticilerinde amaç transistör sükunet halinde iken DC yük doğrusu üzerinde, aktif bölgede çalışma noktasının seçilmesidir. Bir yükselteç devresinde dc analiz yapılırken, ac kaynaklar kısa devre edilir. Eğer yükselteç devresinde kondansatörler varsa açık devre edilmelidir. Çünkü kondansatörler DC işaretlerde açık devre gibi davranırlar.

7 Rs C1 Ryuk RE Rc R2 R1 1kHz Vs Vcc C2 RE Rc R2 R1 Vcc

8 V CE = V C – V E = V CC – I C (R E + R C )
IE IC = V C = V CC – (I C x R C ) VB = VE = VB – VBE V CE = V C – V E = V CC – I C (R E + R C )

9 Örnek 4.1 Şekil 4.5 de verilen gerilim bölücülü yükselteç devresi için (a) Çalışma noktasını DC yük doğrusu üzerinde gösteriniz. (b) Transistörün sükünet durumunda tükettiği DC gücü bulunuz. βDC = 120

10 5.5 mA = IC(sat) = VCE(kesim) = 12 V
Q1 NPN 12V RE 0.68k Rc 1.5k R2 4.7k R1 22k IC(sat) = = 5.5 mA VCE(kesim) = 12 V VE = VB – VBE = 2.11V – 0.7V = 1.41 V

11 Q IC (mA) VCE (V) 12 5.5 2 8 16.6 A Şekil 4.7 Şekil 4.5 deki devrenin çalışma noktası, Şekil 4.7 deki yük doğrusu üzerinde gösterilmekte dir. Devrenin çalışma noktası aktif bölge içerisinde olup, kesim bölgesine yakın olarak bulunmaktadır.

12

13

14

15

16