Güç Transistörleri ve DA-DA Dönüştürücüler KISIM II Güç Transistörleri ve DA-DA Dönüştürücüler
BÖLÜM 4 Güç Transistörleri
4.1 Güç Elektroniğinin Uygulamaları
4.1 SİLİSYUM KARBÜR TRANSİSTÖRLER Bir güç elektroniği devresi tasarımında ve devrenin başarımında, kullanılan yarıiletken güç elemanları çok önemli rol oynarlar.
4.3 Güç Mosfetlerİ
4.3.1 Kalıcı-Durum Özellikleri
4.3.2 Anahtarlama Özellikleri
4.3.3 Silisyum Karbür MOSFET’ler
4.4 Coolmos
4.5 Eklem Alan –EtkİLİ Transistörler (JFET’ler) 4.5.1 JFET’lerin Çalışma Şekli ve Özellikleri
4.5.2 Silisyum karbür JFET Yapıları
4.6 BİPOLAR EKLEM TRANSİSTÖRLER (BJT’ler)
4.6.1 Kalıcı-Durum Özeğrileri
4.6.2 Anahtarlama Özellikleri
4.6.3 Anahtarlama Sınırları
4.6.4 Silisyum Karbür BJT’ler
4.7 IGBT’le r Devam ediyor
4.8 SIT’ler
4.9 TRANSİSTÖRLERİN KARŞILAŞTIRILMASI Tablo 4.2’de BJT’ler, MOSFET’ler ve IGBT’ler karşılaştırılmıştır. Diyot tek-çeyrekte çalışan, kontrolsüz bir elemandır. BJT ve IGBT ise tek çeyrekte çalışan, kontrollü elemanlardır. Ters paralel bir diyotla birlikte bir transistor iki yöne de (dayanabileceği kadar) akım akmasına izin verir. Diyotla seri bağlı bir transistor de iki yönde (dayanabileceği kadar) gerilim uygulanmasına izin verir.
4.10 Güç Transistörlerİnde Güç Değerİnİn DÜŞÜRÜLMESİ
4.11 di/dt ve dv/dt KISALTMALARI
4.12 Serİ ve Paralel ÇalIşma
4.13 Spİce MODELLERİ 4.13.1 BJT SPICE Modeli Devame ediyor
4.13.2 MOSFET PSPICE Modeli
4.13.3 IGBT SPICE Modeli
4.14 MosfetKapI Sürücüsü
4.15 Jfet KapI Devrelerİ
4.16 BJT Baz Sürücü Devresİ
4.17 KAPI VE BAZ SÜRÜCÜLERİNİN YALITIMI
4.17.1 Darbe Trafoları 4.17.2 Optokuplörler
4.18 KapI Sürme Entegrelerİ
özet Kapı veya baz sürme sinyalleri güç devresinden darbe trafoları veya optokuplörler yardımıyla yalıtılabilir. Darbe trafoları basittir ama kacak endÜktans çok küçük olmalıdır. Trafolar düşük frekanslarda ve uzun sureli darbelerde doymaya girer. Optokuplörler için ayrı güç kaynağı gerekir.