Ön Çalışma BS107A, IRF540 MOSFET’lerinin aşağıdaki katalog değerlerini bulunuz. Maximum Power Dissipation VDSmax RDS(ON) Gate Threshold Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Pinout schematic Package Deneyin 3.adımındaki devrenin AC eşdeğerini çizerek gerilim kazancını parametrelere bağlı bulunuz. Deneyin 3.adımını simülasyon programı ile yapınız.
ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DENEY-5 MOSFET Karakteristikleri Dr. Koray GÜRKAN
FET FET (Field Effect Transistor) -JFET (Junction FET) -MOSFET (metal–oxide–semiconductor FET) -Depletion (azaltma) ON VGS=0 -Enhancement (artırma) OFF VGS=0
P N Depletion (Azaltma) D Enhancement (Artırma) G S
D ID G S ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)
Deney Malzemeleri BS107 (Küçük işaret N Kanal MOSFET) 470 W, 1 kW, 10 kW, 1 MW, direnç 2 adet 10 mF kondansatör Multimetre ETS-7000 Deney Seti Bağlantı kabloları BNC-BNC kablo Osiloskop probu
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BS107-D.PDF
VD VG VGS(TH)=.... ÖLÇÜM HESAP VG VD ID RDS +5V 1.00 G 1.50 1.75 1.85 2.00 2.10 2.50 3.00 4.00 VD VG VGS(TH)=....
VDD VDD VGS=VD (Hesap) ID 5.0 7.5 10.0 15.0
“k” değerini hesaplayın. ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)
VDD 3. VDD’yi tabloda verilen değerlere ayarlayarak Gerilim kazancını ölçün VDD 1 kHz 50 mV (p-p)
VDD VI(p-p) Vo(p-p) AV gm 5.0 50 mV 7.5 10.0 15.0
Rapor İlk deneydeki değerlere göre VGS-ID, VGS-RDS eğrilerini çizdiriniz. gm ifadesini «k» ‘ya bağlı olarak elde edin. Deneyin 3.adımında ölçülen değerleri simülasyon programı ile kıyaslayıp, tablo halinde veriniz. gm değerinin çalışma noktasına bağlılığını yorumlayın. Doğrusal bir kuvvetlendirme için çalışma noktası nerede olmalıdır? Son deneydeki devrenin giriş ve çıkış direncini hesaplayın. Gerilim kazancı ifadesini elde edin ve gm değerlerini hesaplayın.