Transistörler.

Slides:



Advertisements
Benzer bir sunumlar
el ma 1Erdoğan ÖZTÜRK ma ma 2 Em re 3 E ren 4.
Advertisements

Alan Etkili Transistör (FET)
Yrd. Doç. Dr. Mustafa Akkol
Sensörler Öğr. Gör. Erol KINA.
Karşılaştırıcılar Yrd.Doç. Dr.Alper Doğanalp
TC ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ PROJE ÖDEVİ HAZIRLAYANLAR ERDİNÇ.
Diferansiyel Denklemler
Bölüm I Temel Kavramlar
4.Deney Diyot Uygulamaları
Transistörlü Küçük İşaret Yükselticileri
Emitter direnci köprülenmiş yükselteç
Kısım 2 Diyot Uygulamaları
KIR ÇİÇEKLERİM’ E RakamlarImIz Akhisar Koleji 1/A.
Yarı İletken Maddeler Diyot Transistor
Ohm Kanunu Direnç ve Çeşitleri Diyotlar LED’ler Transistörler
HAZIRLAYAN:SAVAŞ TURAN AKKOYUNLU İLKÖĞRETİM OKULU 2/D SINIFI
1/22 GEOMETRİ (Üçgen-Çember-Cisimler) Üç kenarı ve üç köşesi olan kapalı şekillere ne denir? Kare Dikdörtgen Üçgen Çember A B C D.
Endüstriyel Elektronik
Mİkroşerİt HAT VE TEMEL ÖZELLİKLERİ
ALAN ve HACİM HESAPLARI
ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA ANALİZİ
2.4.TRANZİSTÖR Tranzistörler, iki amaçla kullanılan üç uçlulardır. Bu amaçlardan biri anahtar olarak kullanılması, diğeri ise yükseltici görevi yapacak.
Diyot Olarak Tranzistör
MATRİSLER ve DETERMİNANTLAR
TRİSTÖR.
Tam sayılarda bölme ve çarpma işlemi
TRİYAK.
SENSÖR VE TRANSDUSERLER
Yarıiletken Elemanlar
SENSÖR VE TRANSDUSERLER
Anadolu Öğretmen Lisesi
DERS 11 KISITLAMALI MAKSİMUM POBLEMLERİ
TRANSİSTÖR.
1/20 ÖLÇÜLER (Zaman) A B C D Bir saat kaç dakikadır?
Yard. Doç. Dr. Mustafa Akkol
İKİNCİ DERECEDEN FONKSİYONLAR ve GRAFİKLER
Metin’in yaşı kardeşinin yaşının 3 katı kadardır
Şekil Diyotun yapısı ve sembolü
Konular Eviren Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Gerilim İzleyicisi
ÇOK DEĞİŞKENLİ FONKSİYONLARDA
Resim Çeşitli transistörler
AC Kuplajlı Yükselteçler Türev ile İntegral Devreleri
Şekil Sabit polarmalı devre
SENSÖR VE TRANSDUSERLER
Elektrik-Elektronik Mühendisliği için Malzeme Bilgisi
Ön Çalışma Deneyin 2. ve 3. adımında kurulacak ve ölçümü alınacak devreleri simülasyon programında kurarak istenilen ölçümleri program yardımıyla alınız.
Şekil 13. 8B’de verici ve alıcı ayrı, ayrı yerlerdedir
Transistörler.
ÖN ÇALIŞMA Yapılacak deneyleri SPICE tabanlı simülasyon programları ile deneyiniz. Bu sonuçları pratik sonuçlar ile karşılaştıracağınızdan not ediniz.
OTO2005 Elektrik ve Elektronik OTO Dr. Barış ERKUŞ 2013.
Ön Çalışma BC546, BC547, BC548 transistörlerinin
BÖLÜM 1 Giriş. BÖLÜM 1 Giriş 1.1 Güç Elektroniğinin Uygulamaları.
DİJİTAL ELEKTRONİK ÖRNEK PROBLEM
Eleman Tanım Bağıntıları Direnç Elemanı: v ve i arasında cebrik bağıntı ile temsil edilen eleman v i q Ø direnç endüktans Kapasite memristor Endüktans.
2-Uçlu Direnç Elemanları
Diyot Giriş Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadığımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden.
http// sct.emu.edu.tr\eet132
Karşılaştırıcılar Yrd.Doç. Dr.Alper Doğanalp
1.Hafta Transistörlü Yükselteçler 1
3.Hafta Transistörlü Yükselteçler 3
Transistör ve Yapısı.
5.Hafta Transistörlü Yükselteçler 5
Eleman Tanım Bağıntıları
+ + v v _ _ Hatırlatma Lineer Olmayan Direnç
AC Kuplajlı Yükselteçler Türev ile İntegral Devreleri
Lineer olmayan 2-kapılı Direnç Elemanları
1.2.4 Tristörün AC Akımda Çalışması ve Faz Kontrolü
Elektronik Devre Örnekleri
Sunum transkripti:

Transistörler

Transistörler de diyotlar gibi P ve N tipi yarı iletkenlerin birleşmesinden oluşmaktadır. Bir transistör, NPN ya da PNP şeklinde bir araya getirilmiş üç yarı iletkenin birleşmesidir. Transistör üç terminali olan bir elektronik devre elemanıdır. Emiter (Yayıcı), Kollektör (Toplayıcı) ve Baz(Taban,kontrol,giriş). Bu terminaller ayni zamanda sırası ile E, C ve B harfleri ile ifade edilmektedir.

Transistörlerin doğru olarak çalıştırılabilmeleri için her iki PN birleşme yüzeyi, dışarıdan uygulanacak DC gerilim kaynakları tarafından polarlanması gerekmektedir.

IE = IB + IC Sonuç: NPN bir transistörün Çalışması için; VBE > 0V, VCB >0 V ve akımlar arası ilişki IE = IB + IC

IE = IB + IC Sonuç: PNP bir transistörün Çalışması için; VEB > 0V, VBC >0 V ve akımlar arası ilişki IE = IB + IC VBC

Transistör akım kazancı VCC IC Transistör akım kazancı

VCC IC VBE = 0.7 V (Bir transistörün B-E terminali her zaman için diyot özelliği gösterir) VBB = VRB + VBE = ( IB x RC ) + 0.7V (Giriş KGY) VCC = VRC + VCE = ( IC x RC ) + VCE (Çıkış KGY) VCB = VCE - VBE

Örnek 3.1

DC polarma gerilimi uygulanmış bir transistörde çeşitli akım ve gerilim ilişkilerini gösteren eğrilere, “transistör karakteristik eğrileri” denir. Çıkış Karakteristiği

2. Akım Geçiş Karakteristik Eğrisi Aktif Doyum

3. Giriş Karakteristik Eğrisi

4 Gerilim Geçiş Karakteristik Eğrisi

Transistörde Kesim, Doyum ve Yük Doğrusu

Transistörde doyum

DC yük doğrusu

Örnek 3.2 Şekil 3.19 da gösterilen devrenin çalışma noktasını yük doğrusu üzerinde gösteriniz. = 50.

Transistör Katalok Bilgileri Maksimum güç harcama Maksimum gerilim sınırları Maksimum akım sınırları

Maksimum güç harcama

Maksimum gerilim sınırları:

Maksimum akım sınırları

Şekil 3.23 + VCC 5V 1k 22k

Transistörün Anahtar Olarak Kullanılması

=

(a) Devreye paralel olarak en çok kaç adet LED bağlanabilir? Örnek 3.8 Şekil 3.32 de verilen devrede herbir LED diyodunun ışıması için gerekli olan LED akımı, ILED = 30 mA ve LED diyot gerilimi, VLED = 1.5 V dur. Devrede kullanılan transistörün maksimum akım değeri IC(maks) =200 mA ßDC = 200 dür. Buna göre (a) Devreye paralel olarak en çok kaç adet LED bağlanabilir? (b) RC direnç değerini bulunuz. (c) Devreye uygulanacak kare dalga giriş işaretinin tepe değeri en az kaç volt olmalıdır? Şekil 3.32 Çözüm 3.18 (a) Devrede kullanılan LED ler paralel olarak bağlanmışlardır. Transistörün maksimum akımı 200 mA ve her bir LED akımının 30 mA olmasından dolayı, paralel olarak devreye en çok 6 adet LED bağlanabilmektedir. Devreye daha çok LED bağlanabilmesi için transistörün daha yüksek akım değerli bir transistörle değiştirilmesi gereklidir.

RC = = 116  IB(sat) = = = 0.45 mA dir. Vin = (3.3k x 0.45mA) + 0.7 V = 2. 19 V Bir kontaktörün transistörle sürülmesi

Örnek 3.19 Şekil 3.34 deki devrede 12V \ 220  değerinde elektromekanik röle kullanılmıştır. Devrenin kesim ve doyumda düzenli olarak çalışabilmesi için devre girişine uygulanacak olan kare dalga işaretinin en az (minimum) değerlerini bulunuz. Devrede kullanılan transistörün maksimum akım değeri IC(maks) =200 mA ve = 200 dür. Şekil 3.34

= 60 mA = Vin = (10k x 0.3mA) + 0.7 V = 3.7 V = IB(sat) = = 0.3 mA dir. Vin = (10k x 0.3mA) + 0.7 V = 3.7 V

3.8 Transistör Kılıfları Şekil 3.36 Plastik ve metal kılıflarda bulunan bazı genel amaçlı transistörler

Şekil 3.37 Çeşitli kılıflardaki güç transistörleri

Şekil 3.38 Çeşitli kılıflardaki yüksek frekans transistörleri

Şekil 3.40 Açık devre baz direnci arızası 3.9 Transistörlü Devrelerde Arıza Bulma Bulgu: Transistör kesimde ve baz terminalinde hiçbir şekilde gerilim yok. Arıza: Transistörün 100k değerindeki baz direnci açık devre Şekil 3.40 Açık devre baz direnci arızası

Şekil 3.41 Açık devre kollektör direnci arızası Bulgu: Transistörün B-E terminali çalışıyor, fakat C-E terminalinde hiçbir şekilde gerilim yok. Arıza: Transistörün 1k değerindeki kollektör direnci açık devre Şekil 3.42 Baz terminali açık devre gibi görünen devre.

Şekil 3.43 Transistörün yapısal kollektör arızası Bulgu: Transistörün B-E terminali çalışıyor, fakat transistör kesimde. Arıza: Transistörün yapısal olarak içerisinden kollektör terminali kopuk. Şekil 3.43 Transistörün yapısal kollektör arızası