GÜÇ ELEKTRONİĞİ Doç. Dr. N. ABUT Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ GENEL KAPSAM GÜÇ ELEKTRONİĞİ Doç. Dr. Nurettin ABUT Kocaeli Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Mühendisliği Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ Doç. Dr. N. ABUT

BÖLÜM-2 YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER BÖLÜM-2 YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI 2.1.YARIİLETKEN Jn=ATe-B/T A/cm2 (2.1) A:Katot malzemesine bağlı bir katsayı, T: Katot yüzeyinin mutlak sıcaklığı K, B=e.W/K şeklinde malzemeye bağlı bir ısıl katsayı olup e=1,6x10-19 C olarak elektronun yükü, W=1…6 [eV] değeri arasında çıkış enerjisi, K=1,38x10-23 Joule/K olarak Boltzmann sabitidir.

YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI 2.1.YARIİLETKEN foto elektronik emisyon Wp=hf=hc/ Joule (2.2) Wp:Bir fotonun taşıdığı enerji, h: 6,62x10-34 Joule.s olarak Planc sabiti, f:Elektro magnetik dalganın frekansı Hz, :Dalga boyu m, c: 3x108 m/s  olarak ışık hızıdır.

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ YARIİLETKENLER

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT

Yayılım oyuk-akım yoğunluğu Jp; (2.4) şeklinde tanımlanabilir. Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Yayılım oyuk-akım yoğunluğu Jp; (2.4)   şeklinde tanımlanabilir. Burada; Dp:oyuklar (elektronlar için Dn) için difüzyon sabiti m2/s dır. Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı;

Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı; (2.5) dır. Burada; Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı;   (2.5) dır. Burada; p: oyuk hareket kabiliyeti cm2/Vs Genel anlamda bir iyonun hareket kabiliyeti olan ; v, hız cm/s ve , elektriksel alan V/cm olmak üzere 1 [V/cm]’lik bir elektriksel alanda, bu iyonun kazanabildiği =v/ hızıdır.

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Toplam elektron akımı ise;   (2.6) olur. Burada; n: elektron hareket kabiliyeti cm2/Vs dır. (Silisyum eklemi için 300 K de 1500 cm2/Vs, germanyum için ise yaklaşık 3900 cm2/Vs değerindedir). Her zaman, np dır. Eklem bölgesinde, yük akışının ters yönünde, Şekil 2.5.(c) de görüldüğü gibi;   (2.7)  ile tanımlanabilen ve uzay yükü bölgesi potansiyeli de denen bir gerilim oluşur ve bir akım akar.

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT ve soğutucu profili

Diyot IA akımı, yaklaşık; (2.11) Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Diyot Denklemi; diyot iletime kutuplandığında, teorik olarak;   (2.10) şeklinde bir akım akar. Burada; IS, diyot tıkama doyma akımı A, V:Diyotun iletime girmesini sağlayacak eşik gerilimi V, : Yarıiletken malzemeye bağlı bir sabit (Silisyum için normal akımda 2 alınabilir) tir. Diyot IA akımı, yaklaşık;   (2.11) şeklinde değişir. VA>V ise, IA > 0 olur.

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Eşdeğer devresi

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Eşdeğer devresi

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ DİYOT Eşdeğer devresi

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ GENEL KAPSAM

Güç Elektroniği Dr. Nurettin ABUT Teşekkürler!!