ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI DENEY-5 MOSFET Karakteristikleri Yrd.Doç.Dr. Koray GÜRKAN
FET FET (Field Effect Transistor) -JFET (Junction FET) -MOSFET (metal–oxide–semiconductor FET) -Depletion (azaltma) ON VGS=0 -Enhancement (artırma) OFF VGS=0
P N Depletion (Azaltma) D Enhancement (Artırma) G S
D ID G S ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)
Deney Malzemeleri 2N7000 (Küçük işaret N Kanal MOSFET) 470 W, 1 kW, 10 kW, 1 MW, direnç 2 adet 10 mF kondansatör Multimetre ETS-7000 Deney Seti Bağlantı kabloları BNC-BNC kablo Osiloskop probu
MOSFET Test D-S=….. G-D=….. S G D MOSFET’i yandaki gibi breadboarda takınız. Multimetreyi direnç ölçüm kademesine (W) alarak aşağıdaki noktalar arası direnci ölçünüz. D-S=….. G-D=….. S G D
VD VG VGS(TH)=.... +5V ÖLÇÜM HESAPLANACAK VG VD ID rDS (VD / ID) 1.00 1.50 1.75 1.85 2.00 2.10 2.50 3.00 4.00 VD 2N7000 VG VGS(TH)=....
VDD VDD VGS=VD (Hesap) ID 5.0 7.5 10.0 15.0 2N7000
VDD 3. VDD’yi tabloda verilen değerlere ayarlayarak Gerilim kazancını ölçün VDD 1 kHz 50 mV (p-p) 2N7000
VDD VI(p-p) Vo(p-p) AV gm 5.0 100 mV (1kHz) 7.5 10.0 15.0
Rapor İlk deneydeki değerlere göre VGS-ID, VGS-rds eğrilerini çizdirin. gm ifadesini «k» ‘ya bağlı olarak elde edin. gm değerinin çalışma noktasına bağlılığını yorumlayın. Doğrusal bir kuvvetlendirme için çalışma noktası nerede olmalıdır? Son deneyde giriş ve çıkış direncini hesaplayın. Gerilim kazancı ifadesini elde edin ve gm değerlerini hesaplayın.