Sunuyu indir
Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz
YayınlayanMehmed Baştürk Değiştirilmiş 9 yıl önce
1
Ön Çalışma BS107A, IRF540 MOSFET’lerinin aşağıdaki katalog değerlerini bulunuz. Maximum Power Dissipation VDSmax RDS(ON) Gate Threshold Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Pinout schematic Package Deneyin 3.adımındaki devrenin AC eşdeğerini çizerek gerilim kazancını parametrelere bağlı bulunuz. Deneyin 3.adımını simülasyon programı ile yapınız.
2
ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI
DENEY-5 MOSFET Karakteristikleri Dr. Koray GÜRKAN
3
FET FET (Field Effect Transistor) -JFET (Junction FET)
-MOSFET (metal–oxide–semiconductor FET) -Depletion (azaltma) ON VGS=0 -Enhancement (artırma) OFF VGS=0
4
P N Depletion (Azaltma) D Enhancement (Artırma) G S
5
D ID G S ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)
6
Deney Malzemeleri BS107 (Küçük işaret N Kanal MOSFET)
470 W, 1 kW, 10 kW, 1 MW, direnç 2 adet 10 mF kondansatör Multimetre ETS-7000 Deney Seti Bağlantı kabloları BNC-BNC kablo Osiloskop probu
8
VD VG VGS(TH)=.... ÖLÇÜM HESAP VG VD ID RDS +5V 1.00 G 1.50 1.75 1.85
2.00 2.10 2.50 3.00 4.00 VD VG VGS(TH)=....
9
VDD VDD VGS=VD (Hesap) ID 5.0 7.5 10.0 15.0
10
“k” değerini hesaplayın.
ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)
11
VDD 3. VDD’yi tabloda verilen değerlere ayarlayarak
Gerilim kazancını ölçün VDD 1 kHz 50 mV (p-p)
12
VDD VI(p-p) Vo(p-p) AV gm 5.0 50 mV 7.5 10.0 15.0
13
Rapor İlk deneydeki değerlere göre VGS-ID,
VGS-RDS eğrilerini çizdiriniz. gm ifadesini «k» ‘ya bağlı olarak elde edin. Deneyin 3.adımında ölçülen değerleri simülasyon programı ile kıyaslayıp, tablo halinde veriniz. gm değerinin çalışma noktasına bağlılığını yorumlayın. Doğrusal bir kuvvetlendirme için çalışma noktası nerede olmalıdır? Son deneydeki devrenin giriş ve çıkış direncini hesaplayın. Gerilim kazancı ifadesini elde edin ve gm değerlerini hesaplayın.
Benzer bir sunumlar
© 2024 SlidePlayer.biz.tr Inc.
All rights reserved.