Sunuyu indir
Sunum yükleniyor. Lütfen bekleyiniz
2
Güç Transistörleri ve DA-DA Dönüştürücüler
KISIM II Güç Transistörleri ve DA-DA Dönüştürücüler
3
BÖLÜM 4 Güç Transistörleri
6
4.1 Güç Elektroniğinin Uygulamaları
7
4.1 SİLİSYUM KARBÜR TRANSİSTÖRLER
Bir güç elektroniği devresi tasarımında ve devrenin başarımında, kullanılan yarıiletken güç elemanları çok önemli rol oynarlar.
8
4.3 Güç Mosfetlerİ
12
4.3.1 Kalıcı-Durum Özellikleri
15
4.3.2 Anahtarlama Özellikleri
17
4.3.3 Silisyum Karbür MOSFET’ler
19
4.4 Coolmos
21
4.5 Eklem Alan –EtkİLİ Transistörler (JFET’ler)
4.5.1 JFET’lerin Çalışma Şekli ve Özellikleri
26
4.5.2 Silisyum karbür JFET Yapıları
32
4.6 BİPOLAR EKLEM TRANSİSTÖRLER (BJT’ler)
33
4.6.1 Kalıcı-Durum Özeğrileri
37
4.6.2 Anahtarlama Özellikleri
41
4.6.3 Anahtarlama Sınırları
42
4.6.4 Silisyum Karbür BJT’ler
43
4.7 IGBT’le r Devam ediyor
47
4.8 SIT’ler
49
4.9 TRANSİSTÖRLERİN KARŞILAŞTIRILMASI
Tablo 4.2’de BJT’ler, MOSFET’ler ve IGBT’ler karşılaştırılmıştır. Diyot tek-çeyrekte çalışan, kontrolsüz bir elemandır. BJT ve IGBT ise tek çeyrekte çalışan, kontrollü elemanlardır. Ters paralel bir diyotla birlikte bir transistor iki yöne de (dayanabileceği kadar) akım akmasına izin verir. Diyotla seri bağlı bir transistor de iki yönde (dayanabileceği kadar) gerilim uygulanmasına izin verir.
50
4.10 Güç Transistörlerİnde Güç Değerİnİn DÜŞÜRÜLMESİ
51
4.11 di/dt ve dv/dt KISALTMALARI
54
4.12 Serİ ve Paralel ÇalIşma
55
4.13 Spİce MODELLERİ BJT SPICE Modeli Devame ediyor
57
MOSFET PSPICE Modeli
58
IGBT SPICE Modeli
60
4.14 MosfetKapI Sürücüsü
62
4.15 Jfet KapI Devrelerİ
64
4.16 BJT Baz Sürücü Devresİ
70
4.17 KAPI VE BAZ SÜRÜCÜLERİNİN YALITIMI
73
Darbe Trafoları Optokuplörler
74
4.18 KapI Sürme Entegrelerİ
75
özet Kapı veya baz sürme sinyalleri güç devresinden darbe trafoları veya optokuplörler yardımıyla yalıtılabilir. Darbe trafoları basittir ama kacak endÜktans çok küçük olmalıdır. Trafolar düşük frekanslarda ve uzun sureli darbelerde doymaya girer. Optokuplörler için ayrı güç kaynağı gerekir.
Benzer bir sunumlar
