ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI

... konulu sunumlar: "ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI"— Sunum transkripti:

1 ELEKTRONİK DEVRELER-I LABORATUVARI
DENEY-5 MOSFET Karakteristikleri Yrd.Doç.Dr. Koray GÜRKAN

2 FET FET (Field Effect Transistor) -JFET (Junction FET)
-MOSFET (metal–oxide–semiconductor FET) -Depletion (azaltma) ON VGS=0 -Enhancement (artırma) OFF VGS=0

3 P N Depletion (Azaltma) D Enhancement (Artırma) G S

4 D ID G S ID VGS VGS(TH) VGS(ON) ID(ON)

5 Deney Malzemeleri 2N7000 (Küçük işaret N Kanal MOSFET)
470 W, 1 kW, 10 kW, 1 MW, direnç 2 adet 10 mF kondansatör Multimetre ETS-7000 Deney Seti Bağlantı kabloları BNC-BNC kablo Osiloskop probu

6

7 MOSFET Test D-S=….. G-D=….. S G D
MOSFET’i yandaki gibi breadboarda takınız. Multimetreyi direnç ölçüm kademesine (W) alarak aşağıdaki noktalar arası direnci ölçünüz. D-S=….. G-D=….. S G D

8 VD VG VGS(TH)=.... +5V ÖLÇÜM HESAPLANACAK VG VD ID rDS (VD / ID) 1.00
1.50 1.75 1.85 2.00 2.10 2.50 3.00 4.00 VD 2N7000 VG VGS(TH)=....

9 VDD VDD VGS=VD (Hesap) ID 5.0 7.5 10.0 15.0 2N7000

10 VDD 3. VDD’yi tabloda verilen değerlere ayarlayarak
Gerilim kazancını ölçün VDD 1 kHz 50 mV (p-p) 2N7000

11 VDD VI(p-p) Vo(p-p) AV gm 5.0 100 mV (1kHz) 7.5 10.0 15.0

12 Rapor İlk deneydeki değerlere göre VGS-ID,
VGS-rds eğrilerini çizdirin. gm ifadesini «k» ‘ya bağlı olarak elde edin. gm değerinin çalışma noktasına bağlılığını yorumlayın. Doğrusal bir kuvvetlendirme için çalışma noktası nerede olmalıdır? Son deneyde giriş ve çıkış direncini hesaplayın. Gerilim kazancı ifadesini elde edin ve gm değerlerini hesaplayın.